Недавно было продемонстрировано, что светодиоды на основе AlInGaP с GaP TS, связанными с пластиной, решают проблему поглощения света, возникающую из -за подложки GaAs. Светоотдача светодиодов на основе AlInGaP может быть увеличена этим методом, поскольку свет устройств не может поглощаться подложкой GaP. Однако процесс соединения AlGaInP/GaP требует высокотемпературной обработки, что может привести к дополнительному недостатку перераспределения профиля легирования. Более того, трудно сопоставить кристаллографическую ориентацию двух пластин в процессе соединения пластин. Кристаллографическое выравнивание может привести к высокой эффективности преобразования светодиодов. Иногда нужна услуга сопротивление металлосвязи.


Такие проблемы могут быть решены путемТехнология склеивания металлов. Как показано на Фигуре 66, Horng et al. (1999) сообщили о зеркальной подложке (МС) AlGaInP/металл/SiO 2/Si Светодиод, изготовленный по технологии склеивания пластин. Металлический слой используется как зеркало, и свет может отражаться металлом. Следовательно, световая отдача устройства будет увеличена. Кроме того, металл можно использовать в качестве клеевого слоя для соединения кремниевой подложки и эпитаксиальных слоев светодиодов. AuBe также служит омическим контактом p-типа для светодиодов на основе AlInGaP. Подложка Si улучшает характеристики светодиода при работе с высокой мощностью из-за высокой теплопроводности.Си. Однако и p-электрод, и n-электрод сформированы на одной стороне, так что размер чипа нельзя уменьшить. Следовательно, размер чипа светодиода AlInGaP/meatal/SiO2/Si больше, чем у обычного светодиодного чипа AlInGaP/GaAs, который имеет p-электрод с одной стороны и n-электрод с другой стороны. Таким образом, трудно производить этот тип плоских электродов AlInGaP-светодиодов с высоким выходом и низкой стоимостью. Кроме того, зеркало (слои Au/AuBe) серьезно деградирует из-за перекрестной диффузии Si в процессе склеивания.